公司介绍
公司于2023年成立，专注于高性能碳化硅与金刚石材料及装备解决方案。拥有一支经验丰富的技术研发团队和产业化团队，与中国科学院重庆绿色智能技术研究院、重庆邮电大学联合攻关，研发并攻克高纯碳化硅粉体合成技术，产品具有超高纯度(99.99999%及以上)、粒径尺寸均一性、晶型一致性等优势，已实现规模化销售。在突破高纯碳化硅原材料技术的同时，公司研发成功8/12英寸电阻长晶装备，已能实现稳定生产，突破大尺寸碳化硅长晶技术瓶颈。与中国科学院重庆绿色智能技术研究院共同研发金刚石单晶及复合热沉材料，在金刚石单晶和新型散热材料上取得重大进展，推出多款高端散热材料，成为解决高热流密度散热难题的理想选择，可满足不
主推产品
高温自蔓延a-SiC粉产品介绍以高纯碳粉和硅粉为原料，通过高温自蔓延技术制备a-SiC粉，分为半绝缘型和导电型，用于碳化硅晶体生长。核心特点半绝缘型:超低浅能级杂质，高电阻率与结构稳定性优异，6N级高纯纯度:26N(99.9999%)，金属杂质含量<0.1ppm电学性能:电阻率>1x100.cm，氮含量<5x1016Atom.cm-3粒径:8~20目，20~40目，亚微米至毫米级，可定制化生产导电型:N型氮掺杂，低电阻率与高纯度兼备，颗粒度均匀纯度:≥6N(99.9999%)，金属杂质含量<0.1ppm电学性能:电阻率0.01~0.030.cm，可定制化生产不同氮掺杂浓
CVD-SiC粉产品介绍CVD碳化硅粉(化学气相沉积法碳化硅粉)分为a-SiC粉和B-SiC粉，CVD碳化硅粉的合成工艺是通过气相硅源与碳源在高温下发生化学反应，直接沉积生成高纯度碳化硅粉末，是制备半导体级超高纯碳化硅材料的关键技术之一。核心特点a-SiC粉(为导电型粉料):纯度高，具有7N以上纯度，对于金属杂质控制更精准，有效降低W等金属杂质含量;主要以a相为主，生长晶体时，不发生相转变，有利于晶体生长，大大降低微管、空洞等缺陷;堆积密度高。同一坩埚体积，比自蔓延原料多装料30%，有利于生长大尺寸、高厚度的SiC晶锭，大大降低长晶成本;Si/C原子比例更接近1:1，粒径均匀，无碳包裹，生长完
8/12英寸碳化硅晶片产品介绍碳化硅晶片主要分为导电型和半绝缘型两类。导电型碳化硅衬底又可分为N型(主要)和P型，电阻率通常在0.015-0.0302·cm，主要用于功率器件;半绝缘型碳化硅衬底电阻率>1050·cm，因其极低自由载流子浓度和宽光谱透明性，常用于高频射频器件、AR眼镜镜片等。核心特点具有宽禁带(3.26eV)、高临界击穿场强(3MV/cm)、高热导率(4.9W/cm·K)等特性，这些特性使得基于碳化硅衬底制造的器件能够在高压、高频、高温环境下稳定工作，且具有较低的导通损耗和开关损耗。市场应用新能源汽车:用于制造主驱逆变器、车载充电机(OBC)、DC-DC直流转换器等，可提
高温自蔓延α-SiC粉
面议CVD-SiC粉
面议8/12英寸碳化硅晶片
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